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摘 要：介紹了一種基于HEMT工藝的高增益、高功率寬帶單片微波集成電路功率放大器芯片。該芯片采用六個(gè)三堆疊式晶體管管胞構(gòu)成非均勻分布式放大器結(jié)構(gòu)，可獲得高增益和高功率輸出能力。在0.1～20 GHz超寬帶頻率范圍內(nèi)，該芯片增益為19±1.5 dB，功率輸出能力為38 dBm，尺寸為2×3.1 mm2。（剩余6168字）
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超寬帶高功率高增益放大器芯片設(shè)計(jì)
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