2～6 GHz高諧波抑制低噪聲放大器芯片研究與設(shè)計(jì)

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摘  要：提出了一種具有高諧波抑制比的低噪聲放大器芯片拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，利用該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款基于砷化鎵pHEMT單片工藝的寬帶低噪聲放大器芯片，覆蓋頻段2～6 GHz，相對(duì)帶寬達(dá)到100%。在片測(cè)試結(jié)果顯示，該芯片在整個(gè)頻段內(nèi)的增益典型值為25 dB，噪聲系數(shù)5.5 dB，輸出壓縮1 dB功率為7 dBm，二次諧波抑制比達(dá)到35 dBc，與常規(guī)寬帶低噪聲放大器芯片相比，二次諧波抑制比提高了約15 dB。（剩余7497字）