反應(yīng)精餾系統(tǒng)驅(qū)動硅烷制備過程的模擬及優(yōu)化

打開文本圖片集

摘 要：模擬含有雜質(zhì)的三氯硅烷經(jīng)過歧化反應(yīng)生產(chǎn)高純度硅烷的反應(yīng)精餾過程。運用反應(yīng)精餾法可解決三氯硅烷在歧化反應(yīng)中轉(zhuǎn)化率低以及雜質(zhì)含量高的問題。通過調(diào)節(jié)進料位置、精餾比、回流比、停留時間來供來確定最佳的操作條件。模擬結(jié)果表明，在進料位置為第21塊塔板、精餾比為0.2、回流比為49.43和停留時間為20 s的條件下，硅烷純度可達到5N，雜質(zhì)含量降低到10-18，可直接用于太陽能級多晶硅的生產(chǎn)；或?qū)柰檫M行純化使其純度達到9N后，再進行熱分解生產(chǎn)電子級多晶硅。（剩余9697字）