電化學(xué)儲(chǔ)能器件的抗輻射研究

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本文聚焦于MOS儲(chǔ)能器件及其電路在輻射環(huán)境下的行為特性展開研究，并針對(duì)性地提出電路優(yōu)化策略，通過優(yōu)化放大電路結(jié)構(gòu)與構(gòu)建冗余結(jié)構(gòu)，提升其抗輻射能力。本研究成果為未來(lái)抗輻射電化學(xué)儲(chǔ)能器件的設(shè)計(jì)與開發(fā)提供了理論依據(jù)及數(shù)據(jù)支撐。

0 引言

隨著新能源以及芯片等技術(shù)的蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體器件的需求越來(lái)越大。目前，我國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，占據(jù)了全球半導(dǎo)體器件市場(chǎng)超過一半的份額；同時(shí)我國(guó)也是全球重要的半導(dǎo)體器件制造基地，因此備受業(yè)界的關(guān)注[1-2]。（剩余6456字）