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摘要：在新一代信息存儲技術(shù)中，阻變存儲器（Resistive Randomm Access Memory，RRAM）彰顯出無可比擬的優(yōu)勢。二硒化鎢（WSe2）作為典型的過渡金屬硫?qū)倩铮═ransition Metal Dichalcogenides，TMDCs），憑借其獨(dú)特的光電性質(zhì)受到廣泛關(guān)注。（剩余5681字）
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二硒化鎢納米片基阻變存儲器研究
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