Buck開關(guān)電源MOSFET損耗分析

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【摘要】為實(shí)現(xiàn)汽車集中式域控制器高性能芯片的開關(guān)電源的功率損耗計(jì)算，分析了金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的導(dǎo)通和關(guān)斷過程，對(duì)Buck型開關(guān)電源的MOSFET損耗進(jìn)行理論分析及公式推導(dǎo)，針對(duì)開關(guān)損耗部分進(jìn)行了實(shí)例計(jì)算和仿真驗(yàn)證。結(jié)果表明，計(jì)算結(jié)果與仿真結(jié)果趨于一致，所提出的方法可為開關(guān)電源MOSFET的選型提供參考。（剩余9179字）