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摘要:隨著大數(shù)據(jù)、人工智能等信息技術(shù)的飛速發(fā)展,電子元器件逐漸向便攜、輕量、高性能等方向發(fā)展。金剛石/Cu復(fù)合材料具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與電子元器件匹配度高等優(yōu)點,目前已成為第三代先進(jìn)電子封裝材料。綜述了國內(nèi)外金剛石/Cu復(fù)合材料的制備方法、影響金剛石/Cu復(fù)合材料熱導(dǎo)率的因素,尤其是界面改性對熱導(dǎo)率的影響。(剩余21224字)
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高導(dǎo)熱金剛石/Cu復(fù)合材料的研究進(jìn)展
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