制備方法對(duì)ZnO納米薄膜微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響研究

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摘  要：本實(shí)驗(yàn)分別采用射頻磁控濺射法和電子束蒸發(fā)法在普通玻璃襯底上制備ZnO薄膜樣品，并對(duì)樣品的外觀形貌、微觀形貌及結(jié)構(gòu)、光電性能進(jìn)行測(cè)試和表征。測(cè)試結(jié)果表明，磁控濺射制備的薄膜呈透明狀，薄膜平整致密，晶粒比較大，缺陷濃度比較少，薄膜中晶粒沿ZnO（002）晶面擇優(yōu)取向生長(zhǎng)，薄膜可見(jiàn)光區(qū)透過(guò)率達(dá)88.74%，但薄膜導(dǎo)電性能比較弱，且薄膜生長(zhǎng)速率也比較小。（剩余7270字）