泡沫鎳基底表面氫氧化鎳電極材料的原位生長及其電化學(xué)性能測試

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摘 要：【目的】以泡沫鎳網(wǎng)為基底和鎳源，在溫和條件下制備出低內(nèi)阻的氫氧化鎳電極材料?！痉椒ā坎患尤肴魏捂囋?，應(yīng)用兩步活化法，在鎳網(wǎng)表面原位生長出鎳的氫氧化物，通過掃描電鏡（SEM）對電極表面進(jìn)行形貌分析，并進(jìn)行電化學(xué)性能測試，探討了活化方式、浸泡時間等影響因素對所得電極的形貌及電化學(xué)性能的影響?！窘Y(jié)果】當(dāng)電壓窗口0～1.2 V，掃描圈數(shù)100圈，浸泡時間50 h所得電極在2 mA/cm2時，面積比電容高達(dá)1 059 mF/cm2，遠(yuǎn)大于未活化或單一活化的電極。（剩余5563字）