利用濺射ITO層增強(qiáng)鈣鈦礦太陽電池的穩(wěn)定性研究

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摘 要：為增強(qiáng)以銀為背電極的正置結(jié)構(gòu)有機(jī)-無機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池（PSCs）的長期穩(wěn)定性，研究利用射頻磁控濺射技術(shù)在氧化鉬層與銀背電極之間沉積一層銦錫氧化物（ITO）來對PSCs進(jìn)行內(nèi)封裝的技術(shù)。為防止ITO層濺射對下方已沉積的鈣鈦礦層和有機(jī)空穴傳輸層造成損傷，研究ITO層濺射功率和厚度對PSCs光伏性能的影響，獲得優(yōu)化的ITO層制備工藝，發(fā)現(xiàn)在ITO層濺射功率為30 W、厚度為40 nm時(shí)所制備的PSCs光伏性能最優(yōu)。（剩余13932字）