單晶碳化硅電化學(xué)機(jī)械拋光液的組分設(shè)計(jì)與優(yōu)化

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摘要 單晶碳化硅具有高硬度和高化學(xué)惰性，化學(xué)機(jī)械拋光方法難以同時(shí)保證其加工效率和表面質(zhì)量。電化學(xué)機(jī)械拋光具有較高的材料去除率，是加工碳化硅的一種有效方法。然而，目前針對(duì)碳化硅電化學(xué)機(jī)械拋光液的相關(guān)研究還較為缺乏。為此，首先通過單因素實(shí)驗(yàn)確定電化學(xué)機(jī)械拋光液中導(dǎo)電介質(zhì)和磨粒種類，然后分析導(dǎo)電介質(zhì)和磨粒濃度以及拋光液pH值對(duì)材料去除率和表面粗糙度的影響規(guī)律，最終確定拋光液的最佳參數(shù)。（剩余19663字）