環(huán)氧樹脂沿面缺陷放電仿真中的臨近擊穿判據(jù)

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摘 要：為了探究在仿真中判斷沿面缺陷臨近擊穿的方法，從而為基于仿真系統(tǒng)的設(shè)備絕緣狀態(tài)感知提供理論支撐，首先開展高壓試驗，測量不同長度間隙的沿面擊穿電壓；進而構(gòu)建等離子體仿真模型，仿真相同尺寸缺陷的放電過程，分析不同長度缺陷的放電微觀情況。研究發(fā)現(xiàn)，仿真中電壓主要影響沿面流注發(fā)展末期的電流上升階段與電流衰減階段；在電流衰減階段，擊穿電壓下間隙陽極附近電導(dǎo)率會在上升至極大值后緩慢下降，且在不同長度間隙中的數(shù)值變化規(guī)律一致，可作為擊穿前放電通道臨近擊穿的表征物理量；對比不同長度間隙仿真結(jié)果發(fā)現(xiàn)，若電流衰減階段陽極附近放電通道電導(dǎo)率的最小值可以上升到0.9 S/m以上，即可認為仿真中的缺陷達到臨近擊穿狀態(tài)。（剩余16632字）