燒結(jié)助劑對(duì)氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率影響的研究進(jìn)展

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摘 要：隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，以及集成電路在通訊、交通等領(lǐng)域的運(yùn)用。對(duì)于基板材料的要求日益嚴(yán)苛，氮化硅陶瓷因?yàn)橛兄鴥?yōu)異的力學(xué)性能、介電性能和導(dǎo)熱性，是作為基板材料的重要候選材料之一。氮化硅陶瓷的理論熱導(dǎo)率高達(dá)200-320 W/（m·K），但是實(shí)際上高熱導(dǎo)率的氮化硅難以制成。隨著科研者將精力投入到氮化硅上，近年來(lái)氮化硅陶瓷的實(shí)際熱導(dǎo)率得到提高，但是與理論熱導(dǎo)率還有著不少差距。（剩余15583字）